FET（Power Mos）測(cè)試機(jī)和測(cè)量?jī)x器簡(jiǎn)介

發(fā)布時(shí)間：2024-03-21　點(diǎn)擊量：1413

FET（Power Mos）測(cè)試機(jī)和測(cè)量?jī)x器簡(jiǎn)介

我公司專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備和測(cè)量?jī)x器的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
發(fā)布本公司生產(chǎn)的測(cè)試儀，包括場(chǎng)效應(yīng)管L負(fù)載測(cè)試儀、場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管熱阻測(cè)量?jī)x等。
規(guī)格可以根據(jù)產(chǎn)品樣品進(jìn)行更改，并且我們可以根據(jù)測(cè)量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。

EF-5202面板

EF-5202面板背面

l 負(fù)載測(cè)試設(shè)備（MOS FET）

該裝置是對(duì)樣品施加安全操作區(qū)（ASO）內(nèi)的高電壓和大電流以檢查樣品是否會(huì)被破壞的測(cè)試裝置。

將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負(fù)載，并控制輸入柵極電壓來
切換DUT。由于DUT的切換，L負(fù)載兩端會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，根據(jù)此時(shí)產(chǎn)生的電壓和電流來測(cè)試DUT的耐受能力。

測(cè)量規(guī)格

	VDS電源	VG1電源	VG2電源
設(shè)定電壓范圍	0.0V~50.0V	0.0V~+30.0V	0.0V~-30.0V
設(shè)置分辨率	1.0V	0.1V	0.1V
輸出電流	40A以上	+100mA以上	-100mA以上
設(shè)定精度	±(1%+0.5A)以內(nèi)	±(1%+0.1A)以內(nèi)	±(1%+0.1A)以內(nèi)

電流限制
設(shè)定電流	0A~40A
解決	1A
檢測(cè)時(shí)間	99uS最大1uS步長(zhǎng)

鉗位電源
輸出電壓	999V最大1.0V步進(jìn)
設(shè)定精度	±(1%F?S+10V)

現(xiàn)成產(chǎn)品概要

場(chǎng)效應(yīng)管-901
大功率負(fù)載測(cè)試設(shè)備500V-100A
場(chǎng)效應(yīng)管-902
小功率L負(fù)載測(cè)試設(shè)備200V-30A FET/晶體管組合型
場(chǎng)效應(yīng)管-9205
可以用ROM編程
EF-5002
硬 L 和軟 L 測(cè)試可使用同一端子進(jìn)行。可進(jìn)行 100V-60A 多路復(fù)用器操作（2CH）。

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